SVF4N65RMJ دیتاشیت

SVF4N65RMJ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N65RMJ
حجم فایل 64.523 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SVF4N65RMJ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65RMJ
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه